功能描述：MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON

制造商：texas instruments

系列：NexFET??

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：104A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.15V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：14.1nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2120pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），96W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.5 毫欧 @ 10A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-VSON（3.3x3.3）

封装/外壳：8-PowerVDFN

标准包装：1

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